Історія розвитку пам'яті. СПК

Матеріал з Вікі ЦДПУ
Перейти до: навігація, пошук
Довідник Список використаних джерел Список учасників НОП
Типи DRAM пам'яті
  • FPM RAM
  • EDO RAM
  • Burst EDO RAM
  • SDRAM
    • SDR SDRAM
    • DDR SDRAM
    • DDR2 SDRAM
    • DDR3 SDRAM
    • DDR4 SDRAM
    • Rambus RAM
    • QDR SDRAM
  • VRAM
    • WRAM
  • SGRAM
  • GDDR2
  • GDDR3
  • GDDR4
  • GDDR5
  • GDDR6



Динамі́чна операти́вна па́м'ять або DRAM (Dynamic Random Access Memory) — один із видів комп'ютерної пам'яті із довільним доступом (RAM), найчастіше використовується в якості ОЗП сучасних комп'ютерів.

Основна перевага пам'яті цього типу полягає в тому, що її комірки упаковані дуже щільно, тобто в невелику мікросхему можна упакувати багато бітів, а значить, на їх основі можна побудувати пам'ять великої ємкості.

FPM DRAM

8MB FPM 72 pin SIMM 2K (ART)

FPM DRAM ( Fast Page Mode - динамічна пам'ять з швидким сторінковим доступом) - модифікація динамічної пам'яті, що прийшла на зміну DRAM в серединві 1990-х років.

Принцип дії FPM грунтується на послідовному доступі до даних: дані розташовані послідовно в межах одного рядка матриці пам'яті(на одній сторінці).

Після вибору рядка матриці й утримання RAS допускається багаторазова установка адреси стовпця, СAS. Такий підхід дозволяє вибирати послідовні дані в межах однієї сторінки без зміни її адреси, тобто з одним і тим же сигналом RAS. Це прискорює блокові передачі, але тільки коли весь блок даних або його частина знаходиться всередині однієї сторінки матриці .

EDO DRAM

EDO DRAM - Extended Data Out, новіший віріант FPM DRAM.

У цій пам'яті теж реалізована сторінкова схема доступу, але на виході мікросхеми пам'яті встановлюються регістри-засувки даних. При сторінковому режимі доступу такий тип пам'яті працює за принципом конвеєра: вміст вибраної комірки утримується у вихідних регістрах-засувках, а на входи матриці вже подається адреса наступної обраної сторінки. Таким чином вдається поєднати кілька операцій, що призводить до збільшення (у порівнянні з FPM - пам'яттю ) швидкості зчитування послідовних масивів даних. Але при випадковій адресації така пам'ять нічим не відрізняється від звичайної .  

BEDO DRAM

BEDO ( Burst EDO ) DRAM - це варіант все тієї ж EDO-пам'яті з бдочним (пакетним) доступом. Відмінності від EDO:

  1. На виході встановлюються тригерні регістри зберігання, відповідно до принципу роботи яких у першому такті синхронізуючого імпульсу (спрацьовування по позитивному фронту імпульсу) дані надходять на вхід регістра, а в другому такті - на його вихід. Тактується імпульсом у даному випадку є сигнал CAS, тому в першому такті CAS дані надходять на вхід регістрів і тільки в другому такті - на виходи. Перевага цього полягає в тому, що в другому такті час появи даних після видачі переднього фронту CAS буде менше.
  2. При зверненні до BEDO задається адреса 1 клітинки в рядку, а за рахунок CAS зчитується зміст цієї клітинки та трьох наступних, тобто реалізується пакетний метод доступу.

SD RAM

DDR SDRAM модулі пам'ятя (з радіатором і без)

SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронна динамічна пам'ять з довільним доступом) — тип запам'ятовуючого пристрою, що використовується в комп'ютерній техніці. Найпоширенішим стандартом пам'яті SDRAM є DDR.

На відміну від інших типів DRAM, що використовують асинхронний обмін даними, відповідь на сигнал, що поступив у пристрій, повертається не відразу, а лише при отриманні наступного тактового сигналу. Тактові сигнали дозволяють організувати роботу SDRAM у вигляді скінченного автомата, що виконує вхідні команди. При цьому вхідні команди можуть поступати у вигляді неперервного потоку, не чекаючи, поки буде завершено виконання попередніх інструкцій (конвейєрна обробка): відразу після команди запису може поступити наступна команда, не чекаючи, коли дані будуть записані. Надходження команди читання приведе до того, що на виході дані з'являться через деяку кількість тактів — цей час називається затримкою (latency) і є однією з важливих характеристик даного типу пристроїв.

VRAM

VRAM (англ. Video Random Access Memory ) — тип комп'ютерної енергозалежної пам'яті для тимчасового зберігання зображення (буфер кадру), сформованого відеоадаптером і переданого на відеомонітор. Є двохпортовою пам'яттю — може одночасно записувати дані для зміни зображення в той час, коли відеоадаптер безперервно зчитує вміст для промальовування його на екрані.

SGRAM

SGRAM

SGRAM (англ. Synchronous Graphics RAM ) — тип комп'ютерної енергозалежної пам'яті з синхронним доступом, особливою рисою якої є використання маскування при записі блоку. Маскування запису дозволяє вибрати дані, які й будуть змінені за одну єдину операцію. У відеокартах такий спосіб (блоковий запис) заповнення буфера даними для фонового зображення і зображення на передньому плані обробляється більш ефективно, ніж традиційна послідовність операцій читання, оновлення й запису. SGRAM є однопортовим типом ОЗП. Працює на частотах понад 66 МГц синхронно до зовнішньої частоти шини центрального процесора, що згодом дозволило застосовувати її у відеокартах з AGP-інтерфейсом.

GDDR2

GDDR2 (англ. Graphics Double Data Rate 2) — тип комп'ютерної перезаписуваної енергозалежної пам'яті, що використовується в графічних прискорювачах.

GDDR2, по суті є DDR2 з інтерфейсом і упаковкою, спроектованими спеціально для роботи на максимально можливих частотах і для коротких шин. При цьому відмінності GDDR2 від «звичайної» DDR2 майже повністю полягають лише в упаковці.

GDDR3

GDDR3 (англ. Graphics Double Data Rate 3 — подвійна швидкість передачі графічних даних 3) — спеціальна технологія пам'яті для графічних карт, розроблена компанією ATI Technologies спільно із JEDEC.

GDDR3 має практично таке ж технологічне ядро, як і DDR2, але показники енергії споживання та тепловиділення були незначно знижені, забезпечуючи вищу швидкодію модулів пам'яті та спрощуючи систему охолодження. На відміну від використання пам'яті DDR2 в графічних картах, пам'ять GDDR3 не подібна за внутрішніми особливостями до пам'яті DDR3 запровадженою JEDEC. Ця пам'ять використовує внутрішній термінатор, що дозволяє їй краще відповідати деяким вимогам роботи із графікою. Для підвищення пропускної здатності пам'яті GDDR3 переміщує 4 біти даних на одному контакті за два періоди тактових циклів.

GDDR4

GDDR4 (англ. Graphics Double Data Rate 4) — четверте покоління пам'яті DDR SDRAM. GDDR4 не отримала широкого розповсюдження на ринку через незначний приріст продуктивності відносно GDDR3 і високу вартість.[1] Такий тип пам'яті встановлювався лише на кілька поколінь Hi-End відеокарт ATI/AMD: X1950XTX, HD 2900 XT, HD3870, після чого був замінений більш прогресивною GDDR5.

GDDR5

GDDR5 (англ. Graphics Double Data Rate 5) — п'яте покоління пам'яті DDR SDRAM, спроектованої для додатків, що вимагають високої смуги пропускання. На відміну від його попередника, GDDR4, GDDR5 заснований на пам'яті DDR3, яка має подвоєні, порівняно з DDR2 DQ (Digital Quest) канали зв'язку, але у GDDR5 також є буфери попередньої вибірки шириною 8 бітів, як у GDDR4.

GDDR6

GDDR6 (англ. Graphics Double Data Rate 6).Виробник напівпровідників AMD і група JEDEC працює над новим стандартом GDDR6, реліз якого запланований на 2014 рік. Очікується, що GDDR6 з'явиться в серійних продуктах вже в 2014 році, а сам стандарт буде зберігати актуальність аж до 2020 року.



Посилання

dammlab.com